财联社12月19日讯（编辑 史正丞）越来越多的迹象显示，几年前还被嘲讽抱着“10纳米++”制程固步自封的英特尔，极有可能在明年超越老对手台积电、三星，成为全球芯片代工行业最先进技术的象征。
最新的信号来自于韩国。上周韩国总统尹锡悦访问荷兰，期间的重头戏，就是尹锡悦在荷兰国王威廉·亚历山大、阿斯麦总裁兼CEO温宁克的陪同下，与三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源等商界代表一同造访了光刻机巨头阿斯麦。
（访客留念合影，来源：荷兰王室官网、ASML） 据韩国媒体报道，在上周五回到金浦国际机场时，李在镕带着“满意的笑容”对记者们表示，这次韩国总统访问荷兰，取得的绝大多数成就都与半导体行业有关。一同回国的三星电子副会长、主管芯片业务的庆桂显特别表示，通过与阿斯麦签订合作协议，三星电子已经确保了使用High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）技术的优先级。
为了彰显此次访问的成果来之不易，韩媒还表示，阿斯麦预期将在未来几个月里推出能生产2nm制程芯片的下一代高孔径极紫外光刻机，明年大概只能供应10台的样子，据称英特尔已经锁定了其中的6台。从远期看，未来几年的年产量大概也就是20台左右。
英特尔瞄准2nm逆转时刻
作为光刻机产业即将迎来的突破，ASML的新机器将把数值孔径（NA）从0.33增加到0.55（所谓的“高NA”），更强的聚光能力，意味着能够处理更加精细的几何尺寸，这也是继续推进半导体制程进化的路线之一。
眼下要生产7nm及以下工艺制程的芯片，唯一的方法就是找阿斯麦买极紫外光刻机。这东西的产能非常有限，ASML现在每个季度的发货量大概只有10台左右。
随着苹果公司今年已经用上台积电3nm制程的芯片，对于处于追赶位置的三星和英特尔而言，2nm就成为争夺市场领先地位的下一个目标。为了实现下一阶段的工艺制程跨越，阿斯麦TWINSCAN EXE:5000和5200光刻机的上市就将成为真正意义上的“破局时刻”。
这一刻，英特尔从2021年开始盼到了现在。
2021年初，前英特尔CTO帕特里克·格尔辛格在危难之际接过帅位，随后启动了美国芯片巨头“4年跨越5个工艺制程”的大冒险。随后在2022年1月，英特尔便抢先向阿斯麦下定TWINSCAN EXE:5200，直接将下一代光刻机上市作为“超车”的冲锋号。
（来源：ASML官网） 除了改变芯片行业用“工艺制程命名代工工艺”的行为（例如Intel 7对应的是10nm、Intel 4对应7nm）引发些许吐槽外，英特尔的快速进步整个行业有目共睹。
英特尔本月发布应用Intel 4工艺的Meteor Lake酷睿Ultra处理器时，也发布了后续产品的路线图，清晰展现英特尔将在明年进入20A（2纳米）时代，15代酷睿Arrow Lake处理器将肩负重振英特尔名望的重任，再过一年传说中的“1.8nm”消费级芯片也将初露端倪。
鉴于台积电和三星眼下还在努力推进3nm工艺的量产，意味着接近明年底的某个时刻，英特尔将成为应用工艺制程最先进的代工厂，过了量产关就是一片坦途。
（来源：英特尔） 在上周接受媒体采访时，英特尔技术发展副总裁Sanjay Natarajan明确表示：“我们将在2024年进入2nm工艺的量产，英特尔将再度成为微型化的领导者。这不仅是公司的大胆宣言，也意味着紧密贴合路线图前进。”
作为对比，台积电目前预期2nm制程的量产至少要到2025年，也有传言称可能会推后到2026年；三星电子的预期也是2025年量产2nm，韩国芯片巨头也明确表示，他们的目标是与台积电的2nm竞争。