周四，研究公司伯恩斯坦维持了对美光科技（NASDAQ: MU）的"跑赢大盘"评级和120.00美元的目标价，此前该公司发布了喜忧参半的财务指引和产品前景更新。该公司承认，美光科技第二财季（FQ2）的指引低于预期，主要是由于企业固态硬盘（eSSD）的暂时性放缓，尽管动态随机存取存储器（DRAM）需求仍相对稳固。
美光科技第一财季（FQ1）的业绩符合预期，但公司对FQ2的收入预测显示环比下降9%，降幅大于预期。这主要归因于eSSD销售的短期放缓。尽管如此，DRAM的前景被描述为稳固，但预计将使毛利率环比下降1个百分点。
该公司还强调了美光科技在高带宽内存（HBM）方面的进展，指出FQ1的HBM收入环比增长超过一倍，且利润率显著高于标准DRAM。美光科技已开始向新客户供应HBM，并预计从2026日历年（CY26）开始，HBM4将进入高产量阶段。
公司已将2025日历年（CY25）的总可寻址市场（TAM）估计从250亿美元上调至超过300亿美元，预计到CY28，HBM TAM将增长四倍，到CY30可能达到1000亿美元。
美光科技预计下半年比特需求将反弹，公司指引CY25 DRAM比特需求将增长中teen百分比（MT%），但将NAND的增长预测下调至低teen百分比（LT%）。针对当前市场状况，美光科技已减少NAND产量。公司预计客户库存水平将正常化，比特增长将在本财年下半年及CY25恢复。
报告还提到美光科技对其DDR4和中国市场敞口采取谨慎态度。公司预计2025财年来自中国客户的收入将占总收入的中teen百分比，低于此前的25%。美光科技2024财年（FY24）的资本支出（capex）预计为140亿美元，其中大部分用于HBM开发。
伯恩斯坦总结认为，虽然NAND的近期前景较弱，但供应调整后情况应会改善。该公司认为，美光科技股价盘前下跌15%可能反应过度，考虑到HBM更乐观的长期前景。
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