据韩国媒体报道，三星电子的HBM3E内存终于实现了几个季度以来的目标——成功通过英伟达的认证测试，目前已开始大规模生产8层HBM3E芯片，预计下季度起开始出货。与此同时，美光科技也宣布将为英伟达提供HBM3E芯片。
HBM芯片因其卓越的内存带宽和效率，在当前的“AI时代”扮演着核心角色，通过对大数据集提供快速访问并减少延迟，从而满足AI工作负载（如深度学习和神经网络训练等）任务的高计算需求，极大地提高了AI应用的性能。
当前，英伟达在全球GPU市场（特别是AI应用领域）占据着80%左右的市场份额，因此，对于HBM制造商来说，能否成功通过英伟达的测试不仅关系到企业的声誉，也是推动企业利润增长的关键因素。
很长一段时间以来，三星始终致力于获得英伟达对其HBM3E工艺的认证，以重新夺回公司对于HBM技术和市场份额的主导权。为此，三星对其半导体业务线进行了多次调整，成立了专门的HBM小组和改组DS（设备解决方案）部门等等。
据悉，三星已将其主要生产线转向HBM，并将现有DRAM产能的30%分配给了HBM3E。据估计，这将削减约13%的全球DRAM供应量，导致DRAM的供需失衡，以至于引发价格上涨。为了应对这一后续问题，三星将其平泽P4工厂转变成了仅生产DRAM的生产线，以保证DRAM的正常供应。
业内人士估计，三星将在月末的财报会议上公布这一消息。据了解，三星的HBM3E内存技术采用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片，目前该工艺的良品率已超过70%。
今年早些时候报道称，由于热量和功耗问题，三星的HBM芯片未能通过英伟达的测试，无法用于英伟达AI GPU配件的生产。相比之下，三星的国内竞争对手SK海力士自2022年6月以来一直向英伟达供应HBM3E芯片，并于今年3月底开始向一位未披露的客户（据信为英伟达）供给HBM3E芯片。
及至今天，英伟达Blackwell产品的爆火大大刺激了HBM的需求，而三星的产能远远超过其竞争对手，从而有机会在该领域大显身手，在下一代Blackwell架构到来之际，三星有望成为英伟达的重要合作伙伴。
截至目前，三星和英伟达均未对此发表评论。