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传三星(SSNLF.US)HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达(NVDA.US)测试

发布时间 2024-5-24 11:47
更新时间 2024-5-24 12:07
© Reuters.  传三星(SSNLF.US)HBM芯片因发热和功耗问题未通过英伟达(NVDA.US)测试
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智通财经APP获悉,据三名知情人士透露,由于散热和功耗问题,三星电子(SSNLF.US)最新的高带宽内存(HBM)芯片未通过英伟达(NVDA.US)用于美国公司人工智能处理器的测试。

他们称,这些问题影响了三星的HBM3芯片,这是目前用于人工智能图形处理单元(GPU)的第四代HBM标准,以及这家韩国科技巨头及其竞争对手今年将推向市场的第五代HBM3E芯片。

三星未能通过英伟达测试的原因首次被报道。三星电子在发给路透社的一份声明中表示:“HBM是一种定制内存产品,需要根据客户的需求进行优化。”并称:“正在与客户密切合作,优化产品。”该公司拒绝就具体客户置评。英伟达拒绝置评。

HBM是一种动态随机存取存储器或DRAM标准,于2013年首次生产,芯片在其中垂直堆叠以节省空间并降低功耗。HBM产品有助于处理复杂人工智能应用程序产生的大量数据。随着对复杂GPU的需求在人工智能热潮中飙升,市场对HBM的需求也在飙升。

目前,英伟达控制着全球80%的人工智能应用GPU市场,让这家科技巨头满意被视为HBM制造商未来增长的关键,无论是在声誉还是在利润势头方面。

三位消息人士称,自去年以来,三星一直试图通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。据两位知情人士透露,三星8层和12层HBM3E芯片最近的测试结果是在4月份公布的。

目前尚不清楚这些问题能否轻易解决,但三位消息人士表示,未能满足英伟达的要求,令业界和投资者更加担心三星在HBM方面或将进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技(MU.US)。

与三星相反,国内竞争对手SK海力士是英伟达的主要HBM芯片供应商,从2022年6月开始供应HBM3。该公司还从3月底开始向一家拒绝透露姓名的客户供应HBM3E。消息人士称,这些产品的发货目的地是英伟达。

唯一的另一家HBM主要制造商美光也表示将向英伟达提供HBM3E。

本周,三星更换了其半导体部门的负责人,称需要一位新的高层人物来应对影响该业务的“危机”。分析师表示,此举似乎突显了三星对其在HBM领域落后地位的担忧。

KB证券研究主管Jeff Kim表示,市场对三星作为全球最大的存储芯片制造商的期望很高,他认为三星将很快通过英伟达的测试,但HBM等专业产品需要一些时间才能达到客户的性能评估也是很自然的。

三星电子虽然还未成为英伟达的HBM3供应商,但已经向AMD(AMD.US)等客户提供了HBM3E芯片,并计划从第二季度开始批量生产。三星在给路透社的声明中说,其产品计划正在按计划进行。

分析师还提到,SK海力士在2013年首次开发出HBM芯片,在过去的10年里,SK海力士在HBM研发上投入的时间和资源远远超过三星电子,这也是其技术优势的原因。

三星电子在声明中表示:“2015年开发了第一个用于高性能计算的商用HBM解决方案,此后一直在HBM领域进行投资。”

消息人士还称,英伟达和AMD等GPU制造商也迫切希望三星完善其HBM芯片,以丰富其供应商选择,从而削弱SK海力士的议价能力。

在今年3月举行的英伟达人工智能大会上,英伟达首席执行官黄仁勋在三星展台的三星12层HBM3E芯片上签署“Jensen(黄仁勋)认证”,表明该公司对三星供应这些芯片的前景充满热情。

根据研究公司Trendforce的数据,HBM3E芯片可能成为今年市场上主流的HBM产品,出货量集中在2024年下半年。

另外,SK海力士预计,到2027年,HBM存储芯片的总体需求将以每年82%的速度增长。

分析师表示,投资者已经注意到三星在HBM领域的相对弱势地位。该公司股价今年迄今持平,而SK海力士的股价上涨了41%,美光科技的股价自然上涨了48%。

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