飙涨100%后,美光(MU.US)的“好日子”将继续

发布时间 2024-5-20 09:59
更新时间 2024-5-20 10:08
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智通财经获悉,美光科技(MU.US)一直是人工智能热潮的受益者之一,随着支出的增加,加上内存市场的广泛反弹,该股在过去12个月里上涨了近100%。瑞穗证券表示,美光的好日子可能会继续,因为该公司可能会在高带宽内存(HBM)领域获得市场份额。

在与美光公司的首席财务官Mark Murphy和首席技术官Scott DeBoer会面后,瑞穗认为美光公司正在提升其HBM3E(高带宽内存3E)产品,其功耗比竞争对手低30%。这家投资公司表示,在人们对人工智能功耗的担忧日益加剧之际,这可能会推动美光的股价上涨。

Seeking Alpha的撰稿人、分析师Robert Castellano最近将美光的评级上调至“买入”,因为该公司有能力向英伟达(NVDA.US)推销其HBM3E封装。HBM3E是第五代高带宽内存,瑞穗认为这是美光与韩国SK海力士之间的“2匹马竞赛”。瑞穗表示,在英伟达不断增长的需求下,HBM供应紧张,这对美光来说是个好兆头。

分析师写道:“我们认为,潜在的收益率问题是,在一个关键供应商处,其1-alpha HBM3e的堆叠高度绑定延迟,这将使MU和Hynix在B100/B200/GB200平台上获得HBM3e的份额,从而推动从目前的增加路径约5%上升到2025年的约25%。”

分析师重申了对美光的买入评级,并将目标价从130美元调高至150美元,因内存价格预估上调。瑞穗表示,今年2月开始量产HBM3E芯片的美光公司,2024年和“2025年大部分时间”的高带宽内存可能已经卖光。由于整个行业仍然“紧张”,供应可能处于最低水平,从而推高价格。

下一版本的高带宽存储器HBM4可能最终需要台积电(TSM.US)的cocos - l,因为处理器的堆栈高度标准放宽了。分析人士说,美光正在使用一种名为热压缩非导电薄膜的技术,美光认为,与SK海力士的产品相比,该技术有助于提高封装密度、厚度一致性、更快的规格、更小的凸起和更好的堆叠高度间距。

瑞穗的分析师写道:“我们认为美观科技可能会在HBM4之后看到混合/3D键合进入商业评估阶段,可能会在2027/28年之后。”瑞穗分析师表示,这可能有助于HBM市场以约65%的复合年增长率增长,到2026年达到170亿至180亿美元。

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