智通财经APP获悉，国开证券发布研报称，伴随着各类AI延伸应用，DRAM及NAND Flash在智能手机、服务器、笔记本电脑等单机平均搭载容量均将显著增长，同时AI大模型催生海量算力需求，推动存储产品在低能耗、高带宽、高容量上持续迭代，从而促进HBM产业链加速发展，叠加国产化和终端需求回暖因素，我国存储产业链有望迎来成长机遇，建议关注存储、先进封测、材料、设备等细分领域龙头。给予行业“中性”评级。
国开证券主要观点如下：
国开证券表示，存储行业周期性特征较为明显，自2021年底开启下行周期，2023年全球存储器市场规模同比下降37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域；然而随着市场需求的逐渐复苏和上游原厂的减产措施，存储芯片价格有所回温。
供给端来看，当前产能尤为紧张的是HBM。迄今为止全球仅有的三家HBM供应商——SK海力士、三星、美光，SK海力士和美光均为英伟达HBM3E供应商，三星于24年2月官宣成功开发业界首款36GB 12层DRAM的HBM3E芯片，与8层HBM相比，其性能和容量超过50%，AI训练速度平均提高34%；近期海力士、美光均宣布24年HBM产能已售罄，且美光表示其25年大部分HBM产能已被预订，三星预计2024年其HBM产能将同比增加2.9倍，26年出货量将达23年的13.8倍。
需求端来看，一方面，消费电子设备单机存储容量将不断增加，智能手机呈现“大内存”趋势，AI PC入门级标配即32G内存，英特尔表示25年64G PC将开始出货；另一方面，HBM具备高带宽、高容量、低延时和低功耗特点，目前已逐步成为AI服务器与GPU的主流方案，如英伟达V100、A100、H100、H200等均采用HBM作为显存；HBM是AI芯片中成本占比最高的部分，以H100芯片为例，HBM占成本比重高达2/3左右，从产值来看，2023年HBM在DRAM产业中占比约8.4%，至2024年底将扩至20.1%。
风险提示：全球宏观经济下行，贸易摩擦加剧，技术创新不达预期，下游需求不达预期，业绩增长低于预期，中美关系进一步恶化，乌克兰危机，黑天鹅事件，国内经济复苏低于预期，国内外二级市场系统性风险等。