行业主要上市公司：华润微(688396);三安光电(600703);士兰微(600460);斯达半导(603290);天岳先进(688234)等
本文核心数据：碳化硅、氮化镓市场竞争格局
1、全球第三代半导体材料行业企业竞争格局
——碳化硅行业全球企业竞争格局
(1)衬底
根据Yole的数据，2022年全球碳化硅衬底市场中，美国Wolfspeed、美国II-VI和日本Rohm(收购德国SICrystal)三家企业合计占据全球约72%的市场份额。中国公司天科合达、天岳先进努力追赶，2022年导电型衬底合计实现营收1.04亿美元，合计占比15%，同比+5pct。
(2)外延
高品质的碳化硅外延晶片生长受到外延生长过程中使用的CVD外延炉、衬底等上游设备及材料的影响。国际上已经商业化量产的SiC-CVD设备有意大利LPE、德国Axitron和日本NuFlare产品，这三家公司也占据了国内市场。
——氮化镓行业全球企业竞争格局
射频元器件市场是氮化镓的主要应用领域。从该市场的竞争情况来看，全球氮化镓主要创新主体的龙头主要集中于日本。氮化镓产业国外重点企业包括日本住友、美国科锐、德国英飞凌、韩国LG、三星等，中国企业代表有，晶元光电、三安光电、台积电、华灿光电等，其中，GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底，而科锐拥有最强的实力，在射频应用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技术斱面，该公司处于领先地位，远远领先日系厂商住友电工和富士通;日本住友全球率先量产氮化镓衬底，是全球氮化镓射频器件主要供应商，同时也是华为GaN射频器件主要供应商之一。
2、全球第三代半导体材料行业区域竞争格局
——碳化硅行业全球区域竞争格局
从地区市场情况来看，亚太地区是最大的SiC地区市场。中国、日本、韩国和印度新能源汽车销量的高速增长，使得亚太区域成为全球SiC的主导市场。从企业来看，美国、欧洲和日本企业为SiC整个行业的领先者，国内厂商具备加速替代趋势。
——氮化镓行业全球区域竞争格局
目前，全球氮化镓产业主要集中在美国、日本、欧洲和中国等国家和地区。其中，美国在氮化镓衬底材料和外延片生长技术方面处于领先地位，日本在氮化镓器件设计和封装测试方面具有较强实力，欧洲在氮化镓应用领域的研究较为深入，而中国则在氮化镓全产业链布局上取得了显著进展。据大西洋调研公司数据，GaN方面，北美是最大的市场，2022年占比为37%左右;而亚太地区GaN增长最快，2022-2030年将保持约24.3%的复合年增长率。
3、全球第三代半导体材料行业竞争趋势分析
当前全球第三代半导体材料行业企业竞争趋势主要为加速产能扩张、技术升级和产业链垂直整合，从区域竞争来看，在多国采取巨额投资吸引半导体产业回流的背景下，区域竞争逆全球化趋势或将加剧。
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
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