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本文核心数据：SiC MOSFET技术路线，SiC MOSFET竞争格局
——SiC MOSFET发展历程
SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下：
——SiC材料的优越性
SiC即碳化硅，作为一种半导体材料，具有可耐高压、高温、高频的性质，在助力设备轻量小型化上具有较为明显的优势。SiC的禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射能力强等性质，且器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，可以大幅提高开关频率。碳化硅材料的优越性能使得相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，导通电阻降低为1/200，尺寸减小为1/10;相同规格的使用MOSFET的逆变器与硅基IGBT相比，总能量损失小于1/4。
——SiC MOSFET技术路线
功率SiCMOSFET主要有2种技术路线，根据栅极工艺分为平面型MOSFET(VDMOS)和沟槽型MOSFET(TMOS)，。多数产品均采用SiC VDMOS结构，其工艺简单、阻断能力强，然而导通电阻较大;SiC TMOS是目前的研究热点，其沟道迁移率高，但工艺较为复杂，受栅氧可靠性影响导致阻断能力较差。
——SiC MOSFET竞争格局
近年来，随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，包括SiC MOSFET在内的额碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。结合TrendForce数据，2022年SiC功率半导体的主要厂商的市场份额情况，意法半导体(36.5%)，其次是英飞凌(17.9%)、Wolfspeed(16.3%)、安森美(11.6%)、罗姆(8.1%)占据了较大的部分，剩余厂商的仅占9.6%，可以认为目前SiC MOSFET市场主要依旧掌握在海外厂商手中。前瞻汇总的SiC MOSFET主要厂商产品概况如下：
——SiC MOSFET发展趋势
当前，在650-3300V的电压范围内，SiC MOSFET已形成了较为成熟的技术，同时相关产品已逐步推出，目前，为提高半导体元器件的性能与可靠性，未来SiC MOSFET的发展方向主要聚焦于以下几个方面：
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