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传三星计划投资百亿美元在美建厂 与台积电正面竞争3nm时代

发布时间 2021-1-23 06:11
更新时间 2021-1-25 08:24
© Reuters.  传三星计划投资百亿美元在美建厂 与台积电正面竞争3nm时代
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财联社(上海,编辑 史正丞)讯,周五据媒体援引消息人士报道,三星电子 (KS:005930)目前正在考虑投资超百亿美元在美国建设一座最先进的芯片制造厂,以争夺更多美国客户的订单。

据悉,三星正在讨论的选址是美国得州奥斯汀,计划建造一座未来能够制造3nm工艺制程芯片的工厂。虽然计划仍处于预备阶段,但眼下的日程表是在年内动工,2022年开始安装设备并于2023年开始生产。

HMC证券高级副总裁Greg Roh对此传言评论称,如果三星真的要实现在2030年成为全球第一大芯片制造商的目标,现在需要大规模的投资才能赶上台积电。显然台积电在亚利桑那州的工厂也会向3nm制程持续取得进展。目前来看能否买到极紫外光刻机将会是芯片厂面临的挑战,眼下包括美光、SK海力士也在求购这款设备。

作为全球最大的记忆芯片制造商,三星正在试图增加盈利前景更佳的逻辑芯片市场份额,高通、英伟达已经成为韩国巨头的客户。目前三星在韩国国内有两座EUV工厂。

据知情人士表示,三星目前已经雇佣了华盛顿特区的游说团体,希望能够获得拜登政府的政策补贴和税收优惠。但即便在拿不到大额优惠的情况下,三星依然会推进在美国建厂的计划。

三星赶超台积电的目标近来也受到一定程度的看衰,尤其是在台积电宣布今年投资创纪录的280亿美元,以确保技术和产能领先地位后。作为对比,三星半导体部门2020年资本支出为260亿美元,其中很大一部分用来支持其占据统治地位的存储业务,而制造存储芯片的经验并不完全与制造先进逻辑芯片相关。

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