SK海力士豪掷750亿美元押注AI！

6月30日，全球第二大内存芯片制造商韩国SK海力士（SK Hynix）表示，计划到2028年投资103万亿韩元（约合748亿美元）加强芯片业务，并以人工智能（AI）领域为重点。
其中，80%的资金（近600亿美元）将投资于高带宽内存（HBM）芯片，用于打造SK海力士的AI半导体制造能力，以便“通过专注于AI价值链来提高竞争力”；此外，这笔资金还将用于股东回报，并精简SK集团旗下175家子公司的运营。
与此同时，SK集团旗下的移动运营商SK Telecom和互联网连接提供商SK Broadband等子公司将在未来五年内共同投资24.6亿美元，用于AI数据中心业务。

此前，SK集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）和集团20多名高管召开了为期两天的年度战略会议，旨在在其主要盈利来源电动汽车电池部门遭受严重损失后重振集团业务，讨论集团改革方案并制定未来计划。
SK集团表示，将通过专注于AI价值链来提高竞争力，包括HBM芯片、AI数据中心以及个性化AI助手等AI服务。崔泰源在声明中指出，在转型时期，先发制人的根本性变革是必要的。
除了巨额的投资计划外，SK集团还计划对旗下的子公司进行精简。报道称，其子公司数量将调整至“可控范围”，以提高集团的整体运营效率，但具体削减规模尚未公布。
SK集团决定通过集团营运和业务改革，到2026年创造80万亿韩元的目标收入，并在3年内确保自由现金流达到30万亿韩元，将负债比率控制在100%以下。
根据声明，SK集团去年亏损10万亿韩元，预计今年税前利润将达到22万亿韩元，目标在2026年将税前利润提高到40万亿韩元，扭转亏损局面。

据了解，SK海力士是仅次于三星电子的全球第二大存储器芯片制造商，也是HBM的主要供应商。2013年，该公司就开发出了全球首款HBM芯片，并在随后几年陆续推出了HBM2、HBM2E 以及最新的第四代HBM3芯片。
2023年4月，SK海力士开发出了全球首款12层HBM3 DRAM 产品，内存容量为业内最大的24千兆字节（GB）。2023年8月，该公司推出了业界性能最佳的第五代HBM DRAM HBM3E，用于AI应用，并向其客户英伟达提供了样品以进行性能评估。
今年3月，SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片，同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。
分析人士称，英伟达的GPU目前几乎垄断了AI服务器市场，而SK海力士的HBM芯片同样是这些AI服务器的必备组件。而且，SK海力士的HBM芯片最近针对英伟达的AI加速器进行了优化，鉴于在芯片堆叠技术方面的领先地位，此次投资将有助于其扩大在AI内存市场的领先优势。
这是SK集团首次披露其到2028年的投资计划，但事实上，SK海力士已经展开了一系列计划：在美国，斥资38.7亿美元印第安纳州建设先进封装工厂和AI产品研究中心；在韩国当地，斥资146亿美元兴建一座新的芯片储存园区，并继续进行国内的其他投资，如龙仁半导体集群。
今年早些时候，韩国政府宣布将为本土芯片企业提供26万亿韩元（约合190亿美元）的一揽子支持，吸引SK海力士及三星电子的进一步投资。