智通财经APP获悉，华金证券发布研报称，随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。Gartner预计，2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座，位居全球第一。下游明确的扩产趋势，叠加半导体全产业链迫切的国产化需求，国产刻蚀设备迎来发展良机。此外，器件结构多维度升级同步刺激需求。
受益制程微缩&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高，全球刻蚀设备市场集中度高;华经产业研究院数据显示，2021年全球刻蚀设备CR3超90%。
CCP受益3D发展趋势，制程微缩推动ICP需求增长。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，可分为电容性等离子体刻蚀(CCP)和电感性等离子体刻蚀(ICP)两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构，其需求主要来自3D NAND等3D结构发展的推动;ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽，因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。中微公司和北方华创是国产刻蚀设备龙头，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。
下游扩产趋势明确，器件结构多维度升级刺激需求。根据SEMI数据，中国大陆已连续四年成为全球最大半导体设备市场。Gartner预计，2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座，位居全球第一。下游明确的扩产趋势，叠加半导体全产业链迫切的国产化需求，国产刻蚀设备迎来发展良机。器件结构多维度升级同步刺激需求。1)3D NAND/DRAM：高深宽比结构制造常采用CCP刻蚀设备。2)逻辑：GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀;通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为我国突破光刻极限关键手段。3)互连：HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV;深孔刻蚀是TSV的关键工艺，其中Bosch刻蚀是首选技术，通常选择ICP刻蚀设备。
建议关注标的：泛林集团(LRCX.US)、东京电子、应用材料(AMAT.US)三家全球半导体设备头部企业均实现了刻蚀、薄膜沉积等多产品线的布局，因此华金证券认为平台化建设走在前列的企业更具竞争优势。北方华创(002371.SZ)致力于打造半导体设备平台型企业，布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域，其中ICP突破12英寸各技术节点，CCP实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。中微公司(688012.SH)是国产刻蚀设备龙头，CCP设备和ICP设备应用覆盖度分别达到94%和95%，同时布局薄膜沉积等其他设备，平台化建设持续推进。
风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险，下游客户扩产不及预期的风险，市场竞争加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险，研发方向存在偏差的风险等。