行业主要上市公司：紫光国微(002049)、太极实业(600667)、通富微电(002156)、国芯科技(688262)、长电科技(600584)、华天科技(002185)、晶方科技(603005)、江波龙(301308)等
本文核心数据：行业发展历程;产品发展历程;企业发展历程
1、定义
高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。
2、行业发展历程：已进入快速迭代阶段
全球HBM行业发展主要分三个阶段：初始阶段(2013-2014年)，HBM全球首款产品出现，标志着HBM技术的商业化起步;发展阶段(2015-2018年)，企业加速布局HBM产品，相关标准发布;快速迭代阶段(2019年至今)，HBM产品已发展至第五代，芯片容量和带宽快速提升。
3、产品发展历程：当前HBM产品已经发展至第五代
第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，此后每一代HBM的升级更迭，在内存带宽、I/O速率等方面都迎来明显提升，当前HBM已发展至第五代(HBM3e)，容量最高可达36GB，内存带宽已提升至1.2TB/s，I/O速率最高可达9.2Gbps。
3、企业布局历程：海力士最早布局HBM行业
第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，2019年海力士成功量产HBM2E，随后三星和美光科技相机宣布量产HBM2E，2024年，海力士与台积电联合开发HBM4，并计划2025年完成开发。
——发展历程总结
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球存储器行业市场调研与发展前景预测分析报告》
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